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高真空磁控濺射鍍膜機 JCP500
一、產(chǎn)品概述
1、適用:大專院校、科研院所及企業(yè)進行薄膜新材料的科研與小批量制備。
2、產(chǎn)品特點/用途:
?設(shè)備可濺射/蒸發(fā)兩用;占地面積小,價格便宜,性能穩(wěn)定,使用維護成本低;
?可用于制備單層及多層金屬膜、介質(zhì)膜、半導(dǎo)體膜、磁性膜、傳感器膜及耐熱合金膜、硬質(zhì)膜、耐腐蝕膜等;
?鍍膜示例:銀、鋁、銅、鎳、鉻、鎳鉻合金、氧化鈦、ITO、二氧化硅等;
?單靶濺射、多靶依次濺射、共同濺射等功能。
二、技術(shù)參數(shù)
型號:JCP500
真空腔室結(jié)構(gòu):立式前開門結(jié)構(gòu),后置抽氣系統(tǒng)
真空腔室尺寸:Φ500×H420mm
加熱溫度:室溫~500℃
濺射方式:上下濺射可選
旋轉(zhuǎn)基片臺:Φ150mm
膜厚不均勻性:Φ100mm范圍內(nèi)≤±5.0%
濺射靶/蒸發(fā)電極:Φ3英寸磁控靶3支,兼容DC/MF/RF濺射
工藝氣體:2~3路氣體流量控制
控制方式:PLC+觸摸屏人機界面半自動控制系統(tǒng)
占地面積:(主機)L1900×W800×H1900mm
總功率:≥10KW