本設備的爐管兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室（即收放銅箔的密封裝置），收放銅箔的密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪，進料進氣真空腔室與爐體之間安裝有射頻等離子體發生器，出料排氣腔體與爐體之間安裝有風冷裝置。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點，可以進行大面積、高質量石墨烯的規模化生長。

1、該設備爐管可360度旋轉，管內壁有石英擋片幫助粉料翻轉有助于燒結得更均勻； 2、可左右大角度傾斜，方便出放料，傾斜角度在0~35°之間。 該款設備是全自動Plasma增強CVD系統（PECVD）,系統可以實現連續滑動溫區，連續可控溫度以及Plasma強度等，配備真空系統，可以實現低壓條件下的實驗，針對低溫石墨烯、碳納米管生長等。PECVD系統能使整個實驗腔體都處于輝光產生區，輝光均勻等效，這種技術很好的解決了傳統等離子工作不穩定狀態，這樣離子化的范圍和強度是傳統PECVD的百倍，并解決了物料不均勻堆積現象。

本設備主要針對實驗和中試石墨烯生長和制備使用，同時該設備可以用于碳納米管的生長。可制備出高質量的透明導電膜,用作手機觸摸屏,平板電腦,智能穿戴,傳感器等領域。