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北京泰科諾科技有限公司自2003年成立以來，一直專注于真空設備的研發、設計、制造，是一家集真空薄膜新材料沉積設備、真空技術應用設備等相關設備及其工藝的研發、設計、制造、銷售、服務于一體的高新技術企業。
公司的研發中試孵化基地位于毗鄰雄安新區的任丘經濟技術開發區，距離未來的雄安高鐵站約20公里，占地面積20000㎡，不僅建有包括機加工、電氣、結構組裝，調試等多個中試生產車間和辦公樓以及其它輔助廠房，同時建有研發工藝、服務客戶的開放實驗室。公司還聘請了國內外真空行業資深的專家、教授作為本公司的技術顧問，確保真空設備產品高水平，始終保持較強的自主研發能力、先進的設計概念、領先的技術優勢。
公司有從事真空技術及設備研發20多年的工程技術人員，與多所中科院所屬研究所及北京大學、清華大學、北京科技大學、武漢工程大學等多所高校進行長期密切的技術合作。公司具有多項真空技術專利，并獲得（SGS）ISO9001：2008國際質量體系認證證書和高新技術企業認證證書、北京市企業研發機構、以及其他相關認證證書。
公司主要研發設計生產蒸發鍍膜機、磁控濺射鍍膜機、多功能復合鍍膜機、粉體鍍膜設備、高真空應用爐、CVD金剛石設備、大型應用定制設備，研發設計與之配套的工藝技術。廣泛應用于高等院校、科研院所的教學、科研。技術、產品及其服務已經覆蓋全國的28個省市，有超過1000臺設備在運行，而且遠銷澳大利亞、美國、土耳其、哈薩克斯坦等國，深受用戶的好評。
一、產品概述
1、適用范圍：適合于各單位實驗室、高等院校實驗室、教學等的項目科研、產品中試之用。
2、產品優點及特點：設備采用熱絲化學氣相沉積技術，已應用于國內多家用熱絲法生產金剛石的生產線上。該設備已生產出大尺寸片狀多晶金剛石厚膜，填補了國內空白，并獲得了非常可觀的經濟效益。該系列設備適合于工業化生產也非常適合于科研、教學和產品中試之用。
3、主要用途：用于生長毫米級金剛石厚膜、金剛石薄膜、類金剛石膜、氮化硅和氧化硅膜等。在切削刀具、鉆頭、絲錐等表面沉積納米金剛石薄膜、微晶金剛石薄膜。也可制備摻硼金剛石電極、BBD電極、金剛石電極薄膜等。
二、技術參數
型號:HF600
真空腔室結構:立式前開門結構，后置抽氣系統，雙層水冷
真空腔室尺寸:Φ600×H500mm
基片臺尺寸:Φ200mm
襯底溫度:600~1100℃
電源:DC
控制方式:PC+PLC+觸摸屏控制
占地面積:主機L1620×W1060×H1900mm
總功率:≥43KW
一、產品概述
1、適用：大專院校、科研院所及企業進行薄膜新材料的科研與小批量制備。
2、產品特點/用途：
?設備可濺射/蒸發兩用；占地面積小，價格便宜，性能穩定，使用維護成本低；
?可用于制備單層及多層金屬膜、介質膜、半導體膜、磁性膜、傳感器膜及耐熱合金膜、硬質膜、耐腐蝕膜等；
?鍍膜示例：銀、鋁、銅、鎳、鉻、鎳鉻合金、氧化鈦、ITO、二氧化硅等；
?單靶濺射、多靶依次濺射、共同濺射等功能。
二、技術參數
型號：JCP500
真空腔室結構：立式前開門結構，后置抽氣系統
真空腔室尺寸：Φ500×H420mm
加熱溫度：室溫～500℃
濺射方式：上下濺射可選
旋轉基片臺：Φ150mm
膜厚不均勻性：Φ100mm范圍內≤±5.0%
濺射靶/蒸發電極：Φ3英寸磁控靶3支，兼容DC/MF/RF濺射
工藝氣體：2~3路氣體流量控制
控制方式：PLC+觸摸屏人機界面半自動控制系統
占地面積：(主機）L1900×W800×H1900mm
總功率：≥10KW
一、產品概述
1、適用：大專院校、科研院所及企業進行薄膜新材料的科研與小批量制備。
2、產品特點/用途：
?設備一體化設計，占地面積小，性價比高，性能穩定，使用維護成本低；
?適用于實驗室制備金屬單質膜、半導體膜、有機膜，也可用于生產線前期工藝試驗等；
?適用于制備光學薄膜、導電薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜等。
二、技術參數
型號:TEMD500
真空腔室結構:立式圓柱形側開門結構，后置抽氣系統
真空腔室尺寸:Φ500×H650mm
加熱溫度:室溫～300℃
旋轉基片臺:平板型Φ200mm
膜厚不均勻性:≤±5.0%
考夫曼離子源:可選
蒸發源:電子槍8KW，6穴坩堝 國產進口可選，配3-3組電阻蒸發
控制方式:PLC+觸摸屏人機界面半自動控制系統
占地面積:長×寬 L2500×W1600mm
總功率:≥17KW
一、產品概述
1、適用：大專院校、科研院所及企業進行薄膜新材料的科研與小批量制備。
2、產品特點/用途：
? 設備一體化設計，占地面積小，價格優惠，性能穩定，使用維護成本低；
? 設備配備4～6組蒸發源，兼容有機蒸發與無機蒸發，多元共蒸獲得復合膜/分蒸獲得多層膜，功能強大，性能穩定；
? 適用于實驗室制備金屬單質膜、半導體膜、有機膜，也可用于生產線前期工藝試驗等；
? 適用于蒸發鍍膜與手套箱環境有機融合，實現蒸鍍、封裝、測試等工藝無縫對接，廣泛用于鈣鈦礦太陽能電池/OPV有機太陽能電池及OLED薄膜等研究系統等。
二、技術參數
型號：ZHDS400
鍍膜方式：多源蒸發鍍膜
真空腔室結構：方箱式前后開門；配置手套箱
真空腔室尺寸：L400×W440×H450mm
加熱溫度：室溫～300℃
旋轉基片臺：120mm×120mm
基片臺升降：手動調節升降高度0～80mm
膜厚不均勻性：≤±5.0%
蒸發源：2組金屬源，2～4組有機源
控制方式：PLC/PC自動控制系統可選
占地面積：主機L1100×W780×H1800mm，手套箱尺寸定制
總功率：≥10KW
